casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSB3L6S-M3/52T
codice articolo del costruttore | VSSB3L6S-M3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-VSSB3L6S-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSB3L6S-M3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 590mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.2mA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 358pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSB3L6S-M3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSB3L6S-M3/52T-FT |
S2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel