casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS160-E3/52T
codice articolo del costruttore | MURS160-E3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-MURS160-E3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS160-E3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS160-E3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS160-E3/52T-FT |
SS19-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel