casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS1H9HE3_A/H
codice articolo del costruttore | SS1H9HE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-SS1H9HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS1H9HE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H9HE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS1H9HE3_A/H-FT |
ES1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3J/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRA140TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B/11
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel