casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS1H9HE3/5AT
codice articolo del costruttore | SS1H9HE3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SS1H9HE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS1H9HE3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H9HE3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS1H9HE3/5AT-FT |
ES1CHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1CHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3J/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRA140TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel