casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS120HE3/5BT
codice articolo del costruttore | MURS120HE3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-MURS120HE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS120HE3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS120HE3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS120HE3/5BT-FT |
VS-10BQ100-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ100HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EGH02HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EGH06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EGU06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EGU06WHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4EGH06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS1100-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS130-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS130L-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel