casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-4EGH06-M3/5BT
codice articolo del costruttore | VS-4EGH06-M3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-4EGH06-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-4EGH06-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 41ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-4EGH06-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-4EGH06-M3/5BT-FT |
RS2K-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2K-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel