casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-MBRS130-M3/5BT
codice articolo del costruttore | VS-MBRS130-M3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MBRS130-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-MBRS130-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 420mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 200pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB (DO-214AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRS130-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBRS130-M3/5BT-FT |
RS2K-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel