casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURF10020R
codice articolo del costruttore | MURF10020R |
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Numero di parte futuro | FT-MURF10020R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURF10020R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF10020R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURF10020R-FT |
MDA600-14N1
IXYS
MDA600-16N1
IXYS
MDA600-18N1
IXYS
MDA600-20N1
IXYS
MDA600-22N1
IXYS
MDA95-22N1B
IXYS
MDA950-12N1W
IXYS
MDA950-14N1W
IXYS
MDA950-16N1W
IXYS
MDA950-18N1W
IXYS
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel