casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MDA950-16N1W
codice articolo del costruttore | MDA950-16N1W |
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Numero di parte futuro | FT-MDA950-16N1W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDA950-16N1W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 950A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 18µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDA950-16N1W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDA950-16N1W-FT |
MBR30045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30H100CT81E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR30H100CTH
ON Semiconductor
MBR30H30CTH
ON Semiconductor
MBR30H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR4015CTLH
ON Semiconductor
MBR40L45CTH
ON Semiconductor
MBR41H100CTH
ON Semiconductor
MBR60L45CTH
ON Semiconductor
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel