casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MDA95-22N1B
codice articolo del costruttore | MDA95-22N1B |
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Numero di parte futuro | FT-MDA95-22N1B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDA95-22N1B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 150A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 2200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Screw Mount |
Pacchetto / caso | TO-240AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-240AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDA95-22N1B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDA95-22N1B-FT |
MBR2550CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30040CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30H100CT81E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR30H100CTH
ON Semiconductor
MBR30H30CTH
ON Semiconductor
MBR30H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR4015CTLH
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel