casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR860HC0G
codice articolo del costruttore | MUR860HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR860HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR860HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR860HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR860HC0G-FT |
SFA807GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA808GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1020HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1030 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel