casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRA1030HC0G
codice articolo del costruttore | SRA1030HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRA1030HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRA1030HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA1030HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRA1030HC0G-FT |
CUHS20F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3IDTF
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS413,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation