casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA807GHC0G
codice articolo del costruttore | SFA807GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA807GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFA807GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 500V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA807GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA807GHC0G-FT |
CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF01S30SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSR01S30SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel