casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4007G B0G
codice articolo del costruttore | 1N4007G B0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N4007G B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4007G B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4007G B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4007G B0G-FT |
SR504HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR505 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR505HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR506 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR506HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR509 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR509HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR515 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel