casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4007G R1G
codice articolo del costruttore | 1N4007G R1G |
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Numero di parte futuro | FT-1N4007G R1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4007G R1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4007G R1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4007G R1G-FT |
SR505 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR505HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR506 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR506HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR509 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR509HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR515 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR515HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel