casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / MUN5141T1G
codice articolo del costruttore | MUN5141T1G |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5141T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5141T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 202mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5141T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5141T1G-FT |
NSBA114EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor
NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA144EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC144EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA114YF3T5G
ON Semiconductor
NSBC123JF3T5G
ON Semiconductor
NSBC114YF3T5G
ON Semiconductor
NSBA124EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC123TF3T5G
ON Semiconductor
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
5SGXEB6R2F43C2N
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel