casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSBA144EF3T5G
codice articolo del costruttore | NSBA144EF3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSBA144EF3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBA144EF3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 254mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-1123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-1123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA144EF3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBA144EF3T5G-FT |
MUN2211T3G
ON Semiconductor
MMUN2213LT1G
ON Semiconductor
MMUN2215LT1G
ON Semiconductor
MUN2214T1G
ON Semiconductor
MUN2233T1G
ON Semiconductor
MUN2113T1G
ON Semiconductor
SMMUN2111LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2233LT1G
ON Semiconductor
SMUN2212T1G
ON Semiconductor
MMUN2212LT1G
ON Semiconductor
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel