casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / MUN5137T1
codice articolo del costruttore | MUN5137T1 |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5137T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5137T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 202mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5137T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5137T1-FT |
NSBA143TF3T5G
ON Semiconductor
NSBA144TF3T5G
ON Semiconductor
NSBC123EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC124XF3T5G
ON Semiconductor
NSBC144TF3T5G
ON Semiconductor
NSBC144WF3T5G
ON Semiconductor
NSBA144WF3T5G
ON Semiconductor
NSBC114EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA114TF3T5G
ON Semiconductor
NSBC113EF3T5G
ON Semiconductor
XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
5SGSMD4E1H29C1N
Intel
10CL006YE144I7G
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
A1020B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation