casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSBA144WF3T5G
codice articolo del costruttore | NSBA144WF3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSBA144WF3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBA144WF3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 254mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-1123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-1123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA144WF3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBA144WF3T5G-FT |
SMUN2114T1G
ON Semiconductor
SMUN2232T1G
ON Semiconductor
SMUN2111T3G
ON Semiconductor
MMUN2132LT1G
ON Semiconductor
MUN2114T1G
ON Semiconductor
SMUN2230T1G
ON Semiconductor
MMUN2238LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2216LT1G
ON Semiconductor
SMUN2213T1G
ON Semiconductor
MMUN2114LT1G
ON Semiconductor
XC6SLX4-L1TQG144I
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
APA600-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-3
Intel
5AGZME1E3H29I4N
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7N
Intel