casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / MUN5114T1
codice articolo del costruttore | MUN5114T1 |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5114T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5114T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 202mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5114T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5114T1-FT |
NSBA115TF3T5G
ON Semiconductor
NSBA123EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA123JF3T5G
ON Semiconductor
NSBA123TF3T5G
ON Semiconductor
NSBA124XF3T5G
ON Semiconductor
NSBA143EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA143TF3T5G
ON Semiconductor
NSBA144TF3T5G
ON Semiconductor
NSBC123EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC124XF3T5G
ON Semiconductor
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
Intel
5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel