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ON Semiconductor NSBA123EF3T5G

Numero parte MFG
NSBA123EF3T5G
quantità disponibile
94620 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.07812
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- TRANS PREBIAS DUAL PNP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-NSBA123EF3T5G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NSBA123EF3T5G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 254mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-1123
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-1123
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NSBA123EF3T5G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NSBA123EF3T5G-FT

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