casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW50-06A7
codice articolo del costruttore | MUBW50-06A7 |
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Numero di parte futuro | FT-MUBW50-06A7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW50-06A7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Potenza - Max | 250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 800µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW50-06A7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW50-06A7-FT |
APTGT600DU60G
Microsemi Corporation
APTGT750U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K60EFC144-1X
Intel
XC4010XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XCV150-4BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F31C4N
Intel
EP20K200EQI240-2N
Intel
EPF10K50VQC240-2N
Intel