casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW35-12A7
codice articolo del costruttore | MUBW35-12A7 |
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Numero di parte futuro | FT-MUBW35-12A7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW35-12A7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Potenza - Max | 225W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1.1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW35-12A7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW35-12A7-FT |
APTGT50TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT50TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation
APTGT600DU60G
Microsemi Corporation
APTGT750U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H60T3G
Microsemi Corporation
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C6N
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
5SGXEA9N2F45I3LN
Intel
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EP1S60F1508C7
Intel