casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW25-12A7
codice articolo del costruttore | MUBW25-12A7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MUBW25-12A7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW25-12A7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Potenza - Max | 225W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 900µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW25-12A7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW25-12A7-FT |
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT50SK170TG
Microsemi Corporation
APTGT50TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT50TDU170PG
Microsemi Corporation
APTGT50TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT50TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation
APTGT600DU60G
Microsemi Corporation
APTGT750U60D4G
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGXMA4K1F40I2N
Intel
5SEE9H40C3N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
10AX057K2F40I2LG
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel