casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW15-12A7
codice articolo del costruttore | MUBW15-12A7 |
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Numero di parte futuro | FT-MUBW15-12A7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW15-12A7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Potenza - Max | 180W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 15A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 900µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW15-12A7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW15-12A7-FT |
APTGT50DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT50SK170TG
Microsemi Corporation
APTGT50TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT50TDU170PG
Microsemi Corporation
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel