casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MTP2P50EG
codice articolo del costruttore | MTP2P50EG |
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Numero di parte futuro | FT-MTP2P50EG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTP2P50EG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1183pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTP2P50EG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTP2P50EG-FT |
FQA5N90_F109
ON Semiconductor
FQA65N06
ON Semiconductor
FQA6N70
ON Semiconductor
FQA6N80
ON Semiconductor
FQA6N80_F109
ON Semiconductor
FQA6N90
ON Semiconductor
FQA6N90_F109
ON Semiconductor
FQA7N60
ON Semiconductor
FQA7N80
ON Semiconductor
FQA7N80C
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
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5SGXMABN2F45I3N
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EP3SE260F1152I4N
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LFEC1E-3Q208C
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LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
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