codice articolo del costruttore | FQA6N70 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FQA6N70 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA6N70 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 152W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA6N70 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQA6N70-FT |
FDA28N50
ON Semiconductor
FQA13N80-F109
ON Semiconductor
FQA9N90C-F109
ON Semiconductor
FDA032N08
ON Semiconductor
FCA36N60NF
ON Semiconductor
FDA50N50
ON Semiconductor
FQA9P25
ON Semiconductor
FQA32N20C
ON Semiconductor
FQA6N90C-F109
ON Semiconductor
FCA35N60
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel