casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT61K256M32JE-13:A
codice articolo del costruttore | MT61K256M32JE-13:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT61K256M32JE-13:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT61K256M32JE-13:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | SGRAM - GDDR6 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 1.625GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.31V ~ 1.39V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 180-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 180-FBGA (12x14) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61K256M32JE-13:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT61K256M32JE-13:A-FT |
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel