casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
codice articolo del costruttore | MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E-FT |
MT53D4DANW-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DANY-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DANY-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DARN-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DARN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DASB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DASB-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DAWT-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBBD-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBBP-DC
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel