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Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
- Numero parte MFG
- MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
- quantità disponibile
- 88660 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Micron Technology Inc.
- Breve descrizione
- - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Memoria
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR.pdf
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR specificazioni
| codice articolo del costruttore | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
| Frequenza di clock | 2133MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Tensione - Fornitura | 1.1V |
| temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR-FT |
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