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Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

Name: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Availability: InStock
Rating: 4.5 (375 reviews)

Numero parte MFG: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

quantità disponibile: 88660 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Micron Technology Inc.

Breve descrizione: - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Memoria

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR.pdf

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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR specificazioni

codice articolo del costruttore	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Numero di parte futuro	FT-MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria	32Gb (512M x 64)
Frequenza di clock	2133MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	-
Interfaccia di memoria	-
Tensione - Fornitura	1.1V
temperatura di esercizio	-30°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR-FT

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