casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B
codice articolo del costruttore | MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B-FT |
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
Intel
5SGXMA4K2F35I2N
Intel
XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.