casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B
codice articolo del costruttore | MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (768M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B-FT |
MT53B384M64D4NK-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NZ-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NZ-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT:C
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation