casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
codice articolo del costruttore | MT53B768M32D4NQ-053 WT:B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT53B768M32D4NQ-053 WT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (768M x 32) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B768M32D4NQ-053 WT:B-FT |
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NZ-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NZ-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR
Micron Technology Inc.