casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E
codice articolo del costruttore | MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E-FT |
MT53B4DATT-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DATX-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAWT-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBDT-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBDT-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DBEZ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DBNH-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBNQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBNQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNK-DC
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel