casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B4DBNQ-DC TR
codice articolo del costruttore | MT53B4DBNQ-DC TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B4DBNQ-DC TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B4DBNQ-DC TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B4DBNQ-DC TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B4DBNQ-DC TR-FT |
MT53B256M64D2NV MS TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NW-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TG-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 L XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel