casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B4DBDT-DC
codice articolo del costruttore | MT53B4DBDT-DC |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B4DBDT-DC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B4DBDT-DC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B4DBDT-DC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B4DBDT-DC-FT |
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NL-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NV MS
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NV MS TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NW-062 WT:C
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel