casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (384M x 64) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR-FT |
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M16D1Z00MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel