casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (384M x 64) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR-FT |
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1Z01MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1Z91MWC1
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel