casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C
codice articolo del costruttore | MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C-FT |
MT51K256M32HF-50 N:A
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-50 N:A TR
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-60:A
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-70:A
Micron Technology Inc.
MT52L1DAPF-DC
Micron Technology Inc.
MT52L1DAPF-DC TR
Micron Technology Inc.
MT52L1G32D4PG-093 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel