casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C
codice articolo del costruttore | MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C-FT |
MT52L1DAPF-DC
Micron Technology Inc.
MT52L1DAPF-DC TR
Micron Technology Inc.
MT52L1G32D4PG-093 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT:B
Micron Technology Inc.
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel