casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR
codice articolo del costruttore | MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR-FT |
MT51J256M32HF-60:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-60:A TR
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-60S:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-70:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-70:A TR
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-80:A
Micron Technology Inc.
MT51J256M32HF-80:A TR
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-50 N:A
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-50 N:A TR
Micron Technology Inc.
MT51K256M32HF-60:A
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel