casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H64M8CB-5E IT:B
codice articolo del costruttore | MT47H64M8CB-5E IT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H64M8CB-5E IT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M8CB-5E IT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 600ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-FBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CB-5E IT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H64M8CB-5E IT:B-FT |
MT46V32M16FN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-5B:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-6 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-6:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-75:G
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel