casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H64M8CB-37E IT:B
codice articolo del costruttore | MT47H64M8CB-37E IT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H64M8CB-37E IT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M8CB-37E IT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 267MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 500ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-FBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CB-37E IT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H64M8CB-37E IT:B-FT |
MT46V32M16FN-6 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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