casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H64M16NF-187E:M
codice articolo del costruttore | MT47H64M16NF-187E:M |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H64M16NF-187E:M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M16NF-187E:M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 350ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 84-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 84-FBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M16NF-187E:M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H64M16NF-187E:M-FT |
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR
Micron Technology Inc.
MT35XU01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E:E
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E:E TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel