casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A1G8SA-062E IT:E TR
codice articolo del costruttore | MT40A1G8SA-062E IT:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A1G8SA-062E IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frequenza di clock | 1.6GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A1G8SA-062E IT:E TR-FT |
MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBM83C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAL73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBEDBL83A3WC1
Micron Technology Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel