casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A1G8SA-062E IT:E TR
codice articolo del costruttore | MT40A1G8SA-062E IT:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A1G8SA-062E IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frequenza di clock | 1.6GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A1G8SA-062E IT:E TR-FT |
MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBM83C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAL73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBEDBL83A3WC1
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation
EP1AGX35CF484C6
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
EP4SE820H35I3
Intel
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation