casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A1G8SA-062E:E
codice articolo del costruttore | MT40A1G8SA-062E:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A1G8SA-062E:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A1G8SA-062E:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frequenza di clock | 1.6GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8SA-062E:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A1G8SA-062E:E-FT |
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBM83C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAL73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBEDBL83A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel