casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H32M16BT-3:A TR
codice articolo del costruttore | MT47H32M16BT-3:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H32M16BT-3:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H32M16BT-3:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 450ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 92-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 92-FBGA (11x19) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16BT-3:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H32M16BT-3:A TR-FT |
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP-M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel