casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G-FT |
MT49H8M36FM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-5 TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36SJ-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36SJ-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36SJ-5:B
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation