casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR-FT |
MT49H32M18CSJ-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18SJ-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18SJ-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9SJ-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9SJ-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36BM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36FM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel