casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H128M8BT-5E:A
codice articolo del costruttore | MT47H128M8BT-5E:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H128M8BT-5E:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H128M8BT-5E:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 600ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 92-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 92-FBGA (11x19) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M8BT-5E:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H128M8BT-5E:A-FT |
MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR
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MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR
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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
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MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
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MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR
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